一种用于双电源静电保护的SCR
基本信息
| 申请号 | CN202111514024.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220855A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220855A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邓樟鹏 | 申请（专利权）人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于双电源静电保护的SCR，位于P型衬底内的P阱和N阱；P阱和N阱边缘彼此紧靠，N阱内设有第一P+区、第一N+区以及第四P+区；P阱内设有第二P+区、第二N+区以及第三N+区；P阱和所述N阱的分界处设有第三P+区；第一P+区和第一N+区共同连接至第一电压；第四P+区和第三N+区共同连接至第二电压；第二P+区、第二N+区共同接地。本发明对常规LVTSCR结构进行了优化，在常规LVTSCR的基础上，通过在N阱中增加P+区，在P阱中增加N+区，并把N+区，P+区短接到第二电压上，从而实现双电源的保护，并且本发明的结构也可以用于双IO间的ESD保护，也可以用于一电源一IO之间的ESD保护。 |
