IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111398478.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188398A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188398A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘嘉;张同博;孙鹏;杨继业;邢军军;陈冲;黄璇;姚一平 | 申请（专利权）人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT器件，包括：衬底、位于所述衬底上的外延层、多个阻挡结构、多个栅极、多个基极区和发射极区。所述外延层中形成有多个沟槽；各阻挡结构均位于各沟槽的底部；各栅极均填充各沟槽；各基极区均位于外延层中并且均位于两两相邻的栅极之间；发射极区位于基极区中。本发明还提供一种IGBT器件的制造方法。本申请通过在所述栅极的底部设置所述阻挡结构，可以增加所述栅极的底部的对应外延层区域的电势，从而可以阻挡器件背面的集电极区注入的空穴。进一步的，位于所述栅极底部的所述阻挡结构增加了所述外延层中的空穴的浓度，可以降低IGBT器件的导通压降，从而提升IGBT器件的整体FOM（优值系数）。 |
