一种HBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111318855.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188405A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188405A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/10（2006.01）I;H01L29/737（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈曦;黄景丰;杨继业 | 申请（专利权）人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重掺杂层和多个场氧化层的衬底；形成集电区；形成第一介质层，所述第一介质层中形成有第一开口；形成基区，并在所述基区生长过程中进行P型离子的在位掺杂；形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述基区表面以形成第二开口以及形成发射区，所述发射区具有N型掺杂；其中，在形成所述基区之后的任意一步骤之前，还可以包括：对所述基区执行热处理工艺。本发明还提供一种HBT器件。本申请通过在形成基区之后的任意一步骤之前，对基区执行热处理工艺，可以避免基区中的P型离子的扩散的情况，提高基区的掺杂浓度，降低基区电阻，提高特征频率。 |
