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沟槽栅的制造方法

基本信息

申请号 CN202111514005.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114220734A 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN114220734A 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李昊 申请（专利权）人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 郭四华
地址 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易区祖冲之路1399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种沟槽栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽。步骤二、形成第一氧化层，第一氧化层形成后需要使沟槽的顶部保持为开口状态。步骤三、沉积第二介质层，第二介质层形成后需要使沟槽的顶部开口封闭并在沟槽内部形成一个被第二介质层所包围的空腔。步骤四、对所述第二介质层进行第一次回刻将空腔外暴露的第二介质层去除且保证空腔顶部封口处的第二介质层保留。步骤五、以空腔周侧的第二介质层为掩膜对第一氧化层进行从顶部到底部的第二次刻蚀以形成栅极底部氧化层。步骤六、去除第二介质层。步骤七、进行栅氧化层的生长。本发明能简化BTO的形成工艺，从而能降低工艺成本。