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LDMOS器件的源端工艺方法

基本信息

申请号 CN202111440107.4 申请日 -
公开（公告）号 CN114188404A 公开（公告）日 2022-03-15
申请公布号 CN114188404A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H01L29/08（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王星杰;杨新杰 申请（专利权）人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 焦健
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种LDMOS器件的源端工艺方法，在衬底或外延表面涂覆光刻胶，然后在LDMOS器件源端打开光刻胶形成源端的注入窗口，对源端进行第一次离子注入，在衬底或者外延中形成源区；然后对源区光刻胶进行部分去除，形成新的源端注入窗口，重新定义出源区及沟道；在重新形成的源区窗口的定义下对窗口内的多晶硅层进行刻蚀，去除窗口内的多晶硅层，露出多晶硅层下方的氧化硅层；对源区窗口内进行第二次掺杂离子注入。本发明在高能量注入后，通过再次干法刻蚀少量去胶及多晶硅刻蚀重新定义LDMOS的沟道，以减少高能量注入对LDMOS沟道的影响。