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MTP器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202111368536.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114188397A	公开（公告）日	2022-03-15
申请公布号	CN114188397A	申请公布日	2022-03-15
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王乐平;隋建国;尤鸿朴	申请（专利权）人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志
地址	201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种MTP器件的制造方法，包括：提供形成有浮栅多晶硅层和ONO侧墙的衬底；形成层间介质层。形成层间介质层的步骤包括：在浮栅多晶硅层上形成阻挡层和BPSG层；执行高温回流工艺和湿法清洗工艺；在所述BPSG层上形成氧化层。本发明还提供一种MTP器件。本申请通过形成阻挡层‑BPSG层‑氧化层结构的层间介质层，因所述BPSG层经高温回流工艺之后其良好的填充能力，可以避免因使用HDP工艺导致MTP器件被等离子体轰击损坏的情况，从而保证了MTP器件可靠性。进一步的，因所述阻挡层、所述BPSG层和所述氧化层的三重保护，避免了所述阻挡层下方的浮栅多晶硅层被损坏的情况，提高了MTP器件的数据保存能力。