一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构

基本信息

申请号	CN202111513906.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114220841A	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN114220841A	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王佰胜;金锋;潘山山;苗彬彬;周柳怡;朱冬慧;都文韬	申请（专利权）人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志
地址	201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易区祖冲之路1399号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部；U型部包括第一、第二U型纵向部以及U型端；第一、第二U型纵向部的一端分别连接于U型端的两端；第一横向平直部的一端连接于U型部中第一U型纵向部的另一端；第二U型纵向部的另一端与第二横向平直部的一端连接；第二横向平直部的另一端连接于纵向平直部的一端；纵向平直部的另一端连接于第三横向平直部的一端；第一、第二横向平直部处于一条直线上；第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；U型部处于第一、第二横向平直部与第三横向平直部之间。本发明集成了升压二极管的高压环结构，这种结构增加LDMOS宽度并增大升压二极管的电流。