半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111494129.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203718A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203718A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/11568（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡君;钱文生;张可钢;王宁 | 申请（专利权）人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐嘉 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括：器件区；在所述衬底内形成第一阱；在形成所述第一阱之后，在所述器件区上形成选择栅极以及位于所述选择栅极两侧的存储栅极；在形成所述选择栅极和存储栅极之后，在所述选择栅极和存储栅极两侧的所述衬底内形成第二阱，且部分所述第二阱还位于所述存储栅极底部。可以减少一次光刻，且避免对选择栅极沟道直接注入，从而提高器件性能。 |
