覆晶式LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201420082716.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203721756U | 公开（公告）日 | 2014-07-16 |
| 申请公布号 | CN203721756U | 申请公布日 | 2014-07-16 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 | 申请（专利权）人 | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 | 代理人 | 张明 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市西丽街道阳光社区沙坑路伟豪工业园2栋厂房501-2（仅限办公） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种覆晶式LED芯片，与现有技术不同的是，其反射层的正面设有第一导电层，第一导电层用于分别电性连接第一电极和第二电极以形成第一电极区和第二电极区；第一导电层的正面设有隔离层，隔离层覆盖该覆晶式LED芯片的顶面和第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面；隔离层的正面设有第二导电层，第二导电层用于分别通过设于第一导电孔和第二导电孔中的导电金属电极分别电性连接第一电极区和第二电极区。本实用新型的有益效果是：通过在覆晶式LED芯片的正面设置两层导电层和一层隔离层，可以有效防止LED芯片漏电，显著提高产品良率。 |
