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覆晶式LED芯片

基本信息

申请号 CN201420082717.0 申请日 -
公开（公告）号 CN203859141U 公开（公告）日 2014-10-01
申请公布号 CN203859141U 申请公布日 2014-10-01
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 申请（专利权）人 深圳市兆明芯科技控股有限公司
代理机构 深圳市博锐专利事务所 代理人 张明
地址 518000 广东省深圳市宝安67区留芳路凌云大厦905
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种覆晶式LED芯片，包括衬底，由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层；还包括第一电极孔和第二电极孔，第一电极孔暴露出第一导电型半导体层，其孔壁上涂覆有绝缘层，第二电极孔暴露出导电层；第一电极孔内设有第一电极，第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触；第一电极孔均匀分布在LED芯片上，第二电极孔均匀分布在第一电极孔周围。本实用新型可保证不同的正负电极之间的电阻阻值较为接近，从而使LED芯片发出均匀的光线。