覆晶式LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201410065675.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103794695A | 公开（公告）日 | 2014-05-14 |
| 申请公布号 | CN103794695A | 申请公布日 | 2014-05-14 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 | 申请（专利权）人 | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 | 代理人 | 张明 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区沙坑路伟豪工业园2栋厂房501-2（仅限办公） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种覆晶式LED芯片，包括衬底，由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层和反射层；还包括第一电极孔和第二电极孔，第一电极孔暴露出第一导电型半导体层，其孔壁上涂覆有绝缘层，第二电极孔暴露出导电层；第一电极孔内设有第一电极，第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触；第一电极孔均匀分布在LED芯片上，第二电极孔均匀分布在第一电极孔周围。本发明可保证不同的正负电极之间的电阻阻值较为接近，从而使LED芯片发出均匀的光线。 |
