覆晶式LED芯片的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410065683.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103794689A | 公开（公告）日 | 2014-05-14 |
| 申请公布号 | CN103794689A | 申请公布日 | 2014-05-14 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庞晓东;王瑞庆;刘镇;陈浩明 | 申请（专利权）人 | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 | 代理人 | 张明 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区沙坑路伟豪工业园2栋厂房501-2（仅限办公） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种覆晶式LED芯片的制作方法，包含步骤：在衬底上层叠第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；形成第一电极孔；在第二导电型半导体层的正面覆盖导电层，并蚀刻第一电极孔的延伸部；在导电层的正面覆盖反射层，并蚀刻第一电极孔的延伸部；蚀刻反射层，形成多个第二电极孔，第二电极孔围绕第一电极孔的周围均匀分布；成型第一电极和第二电极；在发射层的正面成型第一导电层；在第一导电层的正面成型隔离层；在隔离层上蚀刻第一导电孔和第二导电孔，并在孔中成型导电金属电极；在隔离层的正面成型第二导电层。其有益效果是：保证LED芯片发光的均匀，同时有效防止LED芯片漏电，显著提高产品良率。 |
