铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备

基本信息

申请号	CN200910006531.0	申请日	-
公开（公告）号	CN101740660A	公开（公告）日	2010-06-16
申请公布号	CN101740660A	申请公布日	2010-06-16
分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;C03C17/36(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	夏莹菲;赵夔;陆贞冀	申请（专利权）人	北京华仁合创科技有限公司
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	祁建国;梁挥
地址	100080 北京市海淀区稻香园7号楼1301室
法律状态	-

摘要

一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，第一步先沉积铜、铟、镓三元金属薄膜，再蒸镀上一层硒薄膜形成纳米量级的铜铟镓硒薄膜结构，Se蒸镀源的温度为260～300℃，重复上述步骤10～50次；第二步再将叠加起来的铜铟镓硒吸收层薄膜做快速退火处理，即得到微米量级的多晶铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：各种元素比例可以得到精确控制；相比其他制备铜铟镓硒薄膜的方法，各元素在薄膜整个厚度范围中分布均匀，变化梯度小；整个工艺过程简单方便，适合大规模连续生产。另外，本发明也公开了上述方法所得到的铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜、包含此铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的太阳能电池以及上述方法所使用的制造设备。