碲镉汞材料离子注入P－N结产生损伤的修复方法
基本信息
| 申请号 | CN03116408.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1202560C | 公开（公告）日 | 2005-05-18 |
| 申请公布号 | CN1202560C | 申请公布日 | 2005-05-18 |
| 分类号 | H01L21/265 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陆卫;陈贵宾;蔡炜颖;陈效双;李志锋;李宁;季亚林;胡晓宁;何力 | 申请（专利权）人 | 上海尼赛拉电子元件有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 郭英 |
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P-N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P-N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。 |
