一种加热导体胚料的方法和设备

基本信息

申请号 CN201911175707.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111010756B 公开(公告)日 2021-04-16
申请公布号 CN111010756B 申请公布日 2021-04-16
分类号 H05B6/06(2006.01)I;G05D23/32(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 戴少涛;马韬;洪智勇;杨平;常同旭;李芳昕 申请(专利权)人 江西联创光电超导应用有限公司
代理机构 北京睿博行远知识产权代理有限公司 代理人 龚家骅
地址 330096江西省南昌市高新技术开发区京东大道168号科技大楼107号一、二楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种加热导体胚料的方法和设备,应用于高温超导直流感应加热系统中,所述加热系统中设置有多个包括磁导部分和磁阻部分的磁场调节单元,该方法包括:根据所述导体胚料的目标轴向温度分布和预设对应关系确定目标轴向磁场分布;根据所述目标轴向磁场分布和当前轴向磁场分布确定权函数;基于所述权函数和预设映射关系表确定各所述磁场调节单元的调节量;基于所述调节量对所述磁导部分和所述磁阻部分的占比进行调节,以建立与所述目标轴向磁场分布对应的工作气隙磁场;将所述导体胚料放入所述工作气隙磁场中的预设位置并进行旋转,以达到所述目标轴向温度分布,从而实现更加灵活准确地按目标轴向温度分布加热导体胚料。