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一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构

基本信息

申请号	CN201520047004.5	申请日	-
公开（公告）号	CN204696123U	公开（公告）日	2015-10-07
申请公布号	CN204696123U	申请公布日	2015-10-07
分类号	H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	朱伟东;赵泊然	申请（专利权）人	应能微电子（上海）有限公司
代理机构	苏州广正知识产权代理有限公司	代理人	刘述生
地址	201203 上海市浦东新区张江高科技园区盛夏路560号902A室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；在所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型的掺杂外延层；在所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，且所述超深沟槽的高宽比为10:1到60:1。所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。