一种中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管的结构与制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管的结构与制造方法

基本信息

申请号	CN201910143557.3	申请日	-
公开（公告）号	CN109860308B	公开（公告）日	2022-02-15
申请公布号	CN109860308B	申请公布日	2022-02-15
分类号	H01L29/786（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李振道;孙明光	申请（专利权）人	应能微电子（上海）有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	213022 江苏省常州市常州新北区华山路8号-5号楼
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管的结构及其制造方法，包括：一衬底+外延，一氧化层，一闸极氧化层，一多晶硅（Poly‑Si）层，一场氧化层，一第一掺杂区，一第二掺杂区，一第一次注入第一P+掺杂区，一第一次注入第二P+掺杂区，一介电质层（ILD），一第二次注入第一P+掺杂区，一第二次注入第二P+掺杂区，一第一金属层，一第二金属层，本发明使用深离子植入技巧，改变电压崩溃时电流路径由原本的P‑掺杂区转向P+掺杂区方向流动，由于P+掺杂区阻值较小，使电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生双级晶体管的Vbe电压让三极管导通，因而容易维持原本雪崩崩溃（UIS）能力及降低snapback发生机率，本发明能完成中高电压的产品，大大提升产品的应用范围。