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一种原子层沉积设备

基本信息

申请号 CN202022070750.X 申请日 -
公开（公告）号 CN213295505U 公开（公告）日 2021-05-28
申请公布号 CN213295505U 申请公布日 2021-05-28
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 分类 -
发明人 张良;张义颖 申请（专利权）人 披刻半导体（苏州）有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 赖婉婷
地址 215100江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路58号3楼-A276
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种原子层沉积设备，包括具有内腔的反应室、设置在反应室内用于承载沉积用衬底的载台及用于加热衬底的加热机构，反应室顶部开设开口，原子层沉积设备还包括盖合开口使得反应室的内腔形成封闭腔室的上盖，载台设置在上盖底面，当衬底安装在载台上时，衬底的用于沉积的一面朝下，原子层沉积设备还包括设置在反应室侧壁的进气口和排气口。本实用新型通过将载台设置在上盖底面，使得衬底安装在载台上时，衬底用于沉积的一面朝下，重力作用下，颗粒趋向于掉落在反应室底部，能够有效防止或减少颗粒落在衬底上，减少吹扫时间进而提升设备的有效产出。另一方面，吹扫时间少，吹扫气体用量也相应减少。