一种大规模阵列电路的IRDrop模拟方法
基本信息
| 申请号 | CN202111478281.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114186528A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114186528A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | G06F30/398（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 童振霄;刘伟平;李相启;魏洪川;陆涛涛 | 申请（专利权）人 | 成都华大九天科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王金双 |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区银河路596号科研综合楼13层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种大规模阵列电路精确IRDrop模拟方法，包括以下步骤：1）根据输入的区域电阻工艺文件，划分阵列电路归属于不同指定的子区域；2）初始化所述子区域数据结构，存储所述子区域覆盖的所有单元电路的位置信息；3）分别提取每个子区域的寄生电阻；4）生成所述子区域内部所有电路的网表信息；5）建立阵列电路中所有节点的电压电流方程并求解计算出节点电压电流信息，进行阵列电路的IRDrop效应分析。本发明的大规模阵列电路精确IRDrop模拟方法，能够为电路设计人员提供精确的IRDrop模拟结果，准确分析IRDrop效应带来的影响。 |
