一种基于氢键有机框架材料的氟化碳正极材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011511193.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112614997B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN112614997B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01M4/583（2010.01）I;H01M6/14（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B32/10（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 候小鹏;李秀涛;曾浩;杜邵文;李娜;朱怡雯;傅小珂 | 申请（专利权）人 | 中国民航大学 |
| 代理机构 | 天津才智专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 300300天津市东丽区津北公路2898号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于氢键有机框架材料的氟化碳正极材料的制备方法。其以多孔材料——氢键有机框架材料作为原料，经过高温碳化可以获得含有杂原子的多孔碳材料，采用由氟气、氟化氢和氩气组成的混合气体作为氟化气体，在加热条件下对多孔碳材料进行氟化可获得含有杂原子的氟化碳正极材料；由于多孔碳材料中含有大量的杂原子，而杂原子通过电子诱导作用可以使C‑F键的生成更容易，从而可降低氟化反应温度，并且生成的C‑F键多为半离子键，进而可提高氟化碳正极材料的放电电压平台；另外，本发明方法由以氟气、氟化氢和氩气组成的混合气体作为氟化气体，由于氟化氢的强极化作用，也可以一定程度降低氟化反应温度。 |
