一种PbI
基本信息
| 申请号 | CN202110896290.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113629198A | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN113629198A | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L51/48（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王志民;隋媛;仲崇霞;孙广芝;戚菲 | 申请（专利权）人 | 北京佰耐特能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 泉州市创思远图知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 徐铭煌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区信息路甲28号C座（二层）02B室-383号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种PbI2多孔膜以及钙钛矿光伏薄膜的制备方法，所述PbI2多孔膜通过溶剂反萃取法制备，包括：将PbI2与溶剂混合，获得PbI2溶液；将PCBM溶解在CB中，获得PCBM溶液；将所述PbI2溶液旋转涂覆在基材上，形成PbI2基层；将所述PCBM溶液滴加到所述PbI2基层上，萃取所述溶剂，得到PbI2多孔膜。在所述PbI2多孔膜上，通过旋转涂覆甲胺卤化物溶液，之后在惰性气氛中在加热处理，即得钙钛矿光伏薄膜。本发明制备多孔PbI2薄膜的方法，实现了常温条件下制备薄膜，节约能源和成本；采用特殊溶剂萃取，可以在PbI2薄膜中形成稳定的多孔结构，从而使得Br掺入更加容易，同时保证材料较高的光电转换效率。 |
