闪存纠错方法及装置

基本信息

申请号 CN201910351203.8 申请日 -
公开(公告)号 CN111863106A 公开(公告)日 2020-10-30
申请公布号 CN111863106A 申请公布日 2020-10-30
分类号 G11C29/38(2006.01)I;G06F11/10(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 彭攀来;霍文捷;秦义 申请(专利权)人 武汉海康存储技术有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 武汉海康存储技术有限公司
地址 430074湖北省武汉市东湖开发区关山一路1号软件园五期F4栋21层01室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种闪存纠错方法及装置,属于固态存储技术领域。本申请实施例提供的一种闪存纠错方法,接收读请求,读请求携带闪存存储器的第一位置的位置标识,用于读取第一位置上存储的数据,当接收到闪存存储器返回的错误指示时,将读请求的多个出错信息添加到多个第一纠错链表中,根据多个第一纠错链表中的出错信息,并行进行纠错。该方法通过将多个出错信息添加到多个第一纠错链表中,对多个第一纠错链表中的出错信息并行纠错,缩短了纠错的时间,提高了纠错效率。