闪存纠错方法及装置

基本信息

申请号 CN201910351232.4 申请日 -
公开(公告)号 CN111863107A 公开(公告)日 2020-10-30
申请公布号 CN111863107A 申请公布日 2020-10-30
分类号 G11C29/38(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 彭攀来;霍文捷;秦义 申请(专利权)人 武汉海康存储技术有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 武汉海康存储技术有限公司
地址 430074湖北省武汉市东湖开发区关山一路1号软件园五期F4栋21层01室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种闪存纠错方法及装置,属于固态存储技术领域。本申请实施例提供的一种闪存纠错方法,接收读请求,读请求携带闪存存储器的第一位置的位置标识,用于读取第一位置上存储的数据,当接收到闪存存储器返回的错误指示时,确定当前出错信息的错误类型,根据错误类型和多个纠错方法,确定纠错方法序列,纠错方法序列包括至少一个纠错方法,通过纠错方法序列,对当前出错信息进行纠错。该方法根据错误类型确定与该错误类型对应的纠错方法序列,不同错误类型的出错信息通过不同的纠错方法序列进行纠错,从而对出错信息进行有针对性的纠错,缩短了纠错的时间,提高了纠错效率。