一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法
基本信息
申请号 | CN202011051209.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112159232A | 公开(公告)日 | 2021-01-01 |
申请公布号 | CN112159232A | 申请公布日 | 2021-01-01 |
分类号 | C04B35/573;C04B35/622 | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 闫永杰 | 申请(专利权)人 | 南通三责精密陶瓷有限公司 |
代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 南通三责精密陶瓷有限公司 |
地址 | 226000 江苏省南通市苏通科技产业园区武夷路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法,采用不同粒度的碳化硅陶瓷粉体为主要原料,利用石墨粉和纳米炭黑为结合剂,树脂为粘结剂,采用喷雾造粒工艺均匀混合,通过干压成型、等静压成型或者浇注成型等多种成型方法得到陶瓷素胚,坯体经过干燥、固化后,采用第一次高温纯化热处理,第二次反应渗硅热处理,最后经过表面处理,获得高纯高致密碳化硅陶瓷。采用该工艺制造的碳化硅陶瓷纯度高,各种金属杂质含量低于200ppm,材料的致密度达99%以上,能够广泛应用于纯度和强度要求高的光伏、LED或者半导体应用领域。 |
