一种半导体行业含钙污泥的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202110647025.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113371749A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113371749A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C01F11/22（2006.01）I;C01B33/32（2006.01）I;C01B7/03（2006.01）I;C30B29/48（2006.01）I;C30B29/62（2006.01）I;C30B7/14（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 蔡阿丽 | 申请（专利权）人 | 西安吉利电子新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安维赛恩专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘春 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区丈八街办科技路创业广场B座709室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体行业含钙污泥的处理方法，包括以下步骤：S1、将含钙污泥粉碎成块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液A和固体A；稀盐酸为块状的含钙污泥质量的4‑5倍；S2、在溶液A里缓慢加入浓度为98％的硫酸溶液，控制反应温度30℃‑50℃之间，得到溶液B和固体B，收集反应生成的盐酸气体；S3、向固体A中加入浓度为15％‑35％的氢氧化钠溶液，加热到50℃‑70℃，固液分离得到硅酸钠溶液和氟化钙固体；氢氧化钠溶液为固体A质量的2‑3倍；S4、向固体B中加入1％‑‑3％的转晶剂，生产成硫酸钙晶须；解决了现有技术处理含钙污泥后分离得到的氟化钙固体的纯度较低的问题。 |
