一种透射电镜原位电热耦合芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010171038.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111354615B 公开(公告)日 2021-05-18
申请公布号 CN111354615B 申请公布日 2021-05-18
分类号 H01J37/26;G01N23/04;G01N23/20;G01N25/00;G01N27/26 分类 基本电气元件;
发明人 廖洪钢;江友红 申请(专利权)人 厦门超新芯科技有限公司
代理机构 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 代理人 秦华
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区软件园创新大厦A区801
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种透射电镜原位电热耦合芯片及其制备方法。结构为上片和下片通过金属键合层组合,自封闭形成一个超薄的腔室;上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片,上片有两个注样口和一个中心视窗;下片有电极材料层,过渡层,氮化硅或氧化硅层,加热层,绝缘层,氮化硅或氧化硅层,硅基片,氮化硅或氧化硅层和中心视窗,位于下片的中心位置,加热层设置有四个接触电极及环形加热丝,所述四个接触电极设置在芯片边缘,所述加热丝为多条圆弧线的末端联通形成,圆弧线连接时留有一条狭缝,所述电极材料层中的工作电极置于狭缝处,前端延伸中心视窗处。所述芯片具有分辨率高、样品漂移率低的优点。