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一种透射电镜高分辨原位温差芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010869706.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113205989A 公开（公告）日 2021-08-03
申请公布号 CN113205989A 申请公布日 2021-08-03
分类号 H01J37/20（2006.01）I;H01J9/00（2006.01）I;H05B3/06（2006.01）I;H05B3/20（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 廖洪钢;江友红 申请（专利权）人 厦门超新芯科技有限公司
代理机构 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 代理人 黄斌
地址 361000福建省厦门市火炬高新区软件园创新大厦A区801
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种透射电镜高分辨原位温差芯片及其制备方法，原位温差芯片包括双面覆盖有绝缘层的基片，该基片的正面上设置有加热层，所述加热层包括两对称设置的加热单元，每一加热单元都包括由加热丝构成的加热区、两接触电极以及连接加热丝和接触电极的连接线路，其中，加热丝布设形成大致方形的加热区，两个接触电极位于基片的同侧边缘；两加热单元的加热区之间具有用来搭载样品的缝隙；所述基片除加热单元外的区域被腐蚀镂空，从而形成用于支撑加热区的第一支撑区域和用于支撑连接线路的第二支撑区域，该芯片具有快速升降温、精准测温控温、持续维持精准温差、分辨率高、样品漂移率低的优点。