多晶硅生长过程中的保温结构

基本信息

申请号 CN201110370453.X 申请日 -
公开(公告)号 CN103122480A 公开(公告)日 2013-05-29
申请公布号 CN103122480A 申请公布日 2013-05-29
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李川川 申请(专利权)人 常州市万阳光伏有限公司
代理机构 苏州广正知识产权代理有限公司 代理人 张利强
地址 213115 江苏省常州市武进区郑陆镇三河口处延陵村140号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅生长过程中的保温结构,包括:坩埚、发热器和位于坩埚外侧的隔热笼,所述隔热笼包括隔热顶板、隔热侧板和隔热底板,所述隔热侧板为三层结构,包括外层的莫来石纤维板、中间层的耐高温碳/碳复合板,内层的承烧板。通过上述方式,本发明能够减少现有保温板长时间高温烘烤导致的掉粉现象,提升隔热笼内部的保温性能,可有效提高硅锭质量,减少硅锭碳含量和阴影,从而总体实现了延长设备的使用寿命,提高产品质量,节能降耗、降低生产成本。