CMOS图像传感器
基本信息
| 申请号 | CN201110410127.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102427079B | 公开（公告）日 | 2014-01-08 |
| 申请公布号 | CN102427079B | 申请公布日 | 2014-01-08 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪辉;丁毅岭;陈杰;田犁;方娜 | 申请（专利权）人 | 北京中科文情科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院上海高等研究院;北京中科文情科技发展有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器，感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为PIN结的I型区，多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化层。多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲，从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力，当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时，也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中，从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率，能够增加感光区的光生电荷的转移效率，也能增加感光区的长度和有效感光面积，能够提高光响应率。 |
