一种功率半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201920274948.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209461471U | 公开（公告）日 | 2019-10-01 |
| 申请公布号 | CN209461471U | 申请公布日 | 2019-10-01 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李述洲;晋虎;孙永生;高良 | 申请（专利权）人 | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平县梁平工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。 |
