MEMS谐振器的温度补偿方法及装置、MEMS振荡器
基本信息
申请号 | CN201910165172.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109921760A | 公开(公告)日 | 2019-06-21 |
申请公布号 | CN109921760A | 申请公布日 | 2019-06-21 |
分类号 | H03H9/24(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 许国辉; 邝国华 | 申请(专利权)人 | 广东合微集成电路技术有限公司 |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 广东合微集成电路技术有限公司 |
地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑6幢办公501 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种MEMS谐振器的温度补偿方法及装置、MEMS振荡器。该温度补偿方法包括:获取温度常数和温度项系数,所述温度常数和所述温度项系数均与所述MEMS谐振器的模型参数关联;获取所述MEMS谐振器的温度;根据所述温度常数、所述温度项系数和所述MEMS谐振器的温度,确定所述MEMS谐振器的温度补偿电压。与现有技术相比,本发明实施例无需设置PLL,因此,本发明实施例可以使MEMS振荡器的运作频率大大降低。若MCU运作在MHz的频率量级,可以将MEMS振荡器的功耗控制在十毫安以下,使得MEMS振荡器在同样的参数表现下,达到更低的功耗与热性能要求,解决了现有的MEMS谐振器的温度补偿方法存在的功耗较大的问题。 |
