极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法

基本信息

申请号	CN201010231676.3	申请日	-
公开（公告）号	CN101901782B	公开（公告）日	2011-12-14
申请公布号	CN101901782B	申请公布日	2011-12-14
分类号	H01L21/768(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘玉岭;刘效岩;田军	申请（专利权）人	天津河北工业大学资产经营有限责任公司
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	河北工业大学;天津河北工业大学资产经营有限责任公司
地址	300130 天津市红桥区光荣道8号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法，实施步骤如下(重量％)：(1)制备防氧化液：将FA/OI表面活性剂0.5-1％、FA/OII型螯合剂0.05-0.5％、FA/OII型阻蚀剂1-10％、余量去离子水，搅拌均匀后制备成pH值为6.8-7.5水溶性表面防氧化液；(2)在极大规模集成电路多层布线进行碱性CMP后用清洗液水抛后立即使用步骤(1)中制备的防氧化液进行水抛防氧化，在1000Pa-2000Pa的低压力、2000-5000ml/min的大流量条件下进行水抛防氧化，抛光清洗时间至少0.5-1分钟，以使多层布线表面形成钝化层。在抛光后用清洗液水抛后立即使用防氧化剂对多层布线进行大流量水抛进行防氧化处理，能有效防止抛光后新鲜铜氧化，从而达到洁净、完美的抛光表面。