异质结太阳电池的硅片处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202111372228.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114242833A | 公开（公告）日 | 2022-03-25 |
| 申请公布号 | CN114242833A | 申请公布日 | 2022-03-25 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宿世超;赵晓霞;田宏波;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;孙金华;范霁红 | 申请（专利权）人 | 国家电投集团新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙诗惠 |
| 地址 | 102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结太阳电池的硅片处理方法，所述硅片处理方法包括提供一硅片，对硅片进行预处理，去除所述硅片表面的原始损伤层、杂质和氧化层；将所述硅片置于等离子体增强化学气相沉积设备的反应腔内，将所述等离子体增强化学气相沉积设备的基板温度控制在200‑600℃，对所述硅片进行低温氢处理。本发明实施例的异质结太阳电池的硅片处理方法可有效提高硅片体寿命，有利于提高电池开路，提高异质结电池效率；改善了由于硅片片源质量波动而导致的末端电池效率的波动现象，使电池效率集中度得到提高。 |
