背接触异质结电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111175013.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113964229A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113964229A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王伟;赵晓霞;田宏波;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 | 申请（专利权）人 | 国家电投集团新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 蒋松 |
| 地址 | 102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种背接触异质结电池及其制备方法。所述背接触异质结电池包括：n型单晶硅衬底；依次设置于所述n型单晶硅衬底上表面的第一钝化层和减反射层；设置于所述n型单晶硅衬底下表面的第二钝化层；设置于所述第二钝化层下表面的局域n型硅基薄膜；设置于所述局域n型硅基薄膜下表面和所述第二钝化层下表面的除所述局域n型薄膜以外区域的p型硅基薄膜；依次设置于所述p型硅基薄膜下表面的TCO薄膜和金属电极。因此，根据发明实施例的背接触异质结电池具有制备工艺简单和生产成本低的优点。 |
