硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法

基本信息

申请号 CN202110887924.8 申请日 -
公开(公告)号 CN113943920A 公开(公告)日 2022-01-18
申请公布号 CN113943920A 申请公布日 2022-01-18
分类号 C23C14/08(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;王雪松;李洋 申请(专利权)人 国家电投集团新能源科技有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 曲进华
地址 102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法,包括:a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积;b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积;c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构,并且采用真空退火处理,沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行,有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量,从而提高了电池性能。