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防腐蚀的ITO导电膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110637777.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113241213A	公开（公告）日	2021-08-10
申请公布号	CN113241213A	申请公布日	2021-08-10
分类号	H01B5/14;H01B13/00	分类	基本电气元件;
发明人	胡业新;于佩强;刘世琴;宋尚金	申请（专利权）人	江苏日久光电股份有限公司
代理机构	苏州科仁专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	郭杨
地址	215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇锦周公路509号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种防腐蚀的ITO导电膜及其制备方法，包括基材层，还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层的一面上的树脂阻挡层，通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层上的光匹配打底层，通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层上的ITO导电层和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层上的阻挡封盖层，所述树脂阻挡层的折射率为1.6‑1.7，厚度为700‑1000nm，所述光匹配打底层的折射率为1.4‑1.5，厚度为5‑15nm，所述阻挡封盖层的折射率为1.4‑2.4，厚度为1‑15nm。光学性能优异，起到较好的阻水阻氧等阻隔作用，阻挡玻璃盖板中析出的钠离子对ITO导电膜的腐蚀侵害，耐腐蚀性能更佳，并在使用及生产过程中，ITO导电膜受析出粒子影响较小，清晰寿命长，更适合于大屏显示所有人机交互领域。