抗辐照超宽带L-band掺铒光纤及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202210133289.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114180823B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申请公布号 | CN114180823B | 申请公布日 | 2022-05-20 |
| 分类号 | C03B37/027（2006.01）I;C03B37/018（2006.01）I;G02B6/02（2006.01）I | 分类 | 玻璃；矿棉或渣棉; |
| 发明人 | 刘长波;徐中巍;王顺 | 申请（专利权）人 | 武汉长进光子技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园（武汉-中国光谷文化创意产业园）B地块5幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抗辐照超宽带L‑band掺铒光纤及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：采用MCVD工艺在石英管内壁上沉积Soot层；将具有Soot层的石英管浸泡于含Er3+、Al3+以及调控组分R的掺杂溶液中，浸泡3~4 h后导出溶液，并在干燥气氛下进行干燥，得到掺杂石英管；在氧气气氛下将掺杂石英管加热至1700~1900℃，烧结得到掺杂石英棒；采用管棒法拉制掺杂石英棒，得到抗辐照超宽带L‑band掺铒光纤。本发明基于MCVD光纤制备技术，通过引入多种共掺杂离子，使掺铒磷铝硅酸盐光纤的宽带光谱可调控，修饰Er3+的4I13/2‑4I15/2能级跃迁，扩展L波段的宽带发射范围；同时，通过共掺Ce3+和P5+提高光纤的抗辐照性能，从而实现了超宽带抗辐照光纤的制备。 |
