一种PI蚀刻液电解再生系统

基本信息

申请号 CN202022722802.7 申请日 -
公开(公告)号 CN213739697U 公开(公告)日 2021-07-20
申请公布号 CN213739697U 申请公布日 2021-07-20
分类号 C23F1/46(2006.01)I;C25B1/00(2021.01)I;C25B9/00(2021.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 方磊;杨洁;孙彬;沈洪;李晓华 申请(专利权)人 上达电子(深圳)股份有限公司
代理机构 徐州市三联专利事务所 代理人 张帅
地址 518100广东省深圳市宝安区沙井街道黄埔社区南环路黄埔润和工业园A栋厂房1-4层、D栋2-3层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种PI蚀刻液电解再生系统,属于蚀刻液电解技术领域。包括PI蚀刻液储槽、泵、过滤器和电解再生装置,所述的过滤器设置在PI蚀刻液储槽底部循环PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液,所述的电解再生装置设置在PI蚀刻液储槽的一侧,电解再生装置与PI蚀刻液储槽相通,PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液从PI蚀刻液储槽的槽体底部通过泵抽至电解再生装置内,电解再生装置电解再生后将PI蚀刻液再抽回PI蚀刻液储槽。本实用新型的有益效果是:本实用新型通过电解再生装置,提高药液中高锰酸根离子浓度,延长药液寿命,节省药水成本;减少药液使用,将产生的无用成分回收利用,减少废液产生,减少环境污染,降低废水处理成本。