微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911391613.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110938811A | 公开（公告）日 | 2020-03-31 |
| 申请公布号 | CN110938811A | 申请公布日 | 2020-03-31 |
| 分类号 | C23C16/511(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王宏兴;王艳丰 | 申请（专利权）人 | 广东达蒙得半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安维赛恩专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘艳霞 |
| 地址 | 523808广东省广州市松山湖园区新城路5号1栋1109室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的方法，包括如下：金刚石生长过程中，金刚石在用于提供微波等离子体金刚石生长环境的腔体内持续旋转。使得金刚石在生长过程中，每一点生长条件都相同，实现了气流、温度、功率密度在金刚石生长面的均匀分布。 |
