一种用于MPCVD系统的导流式样品托及系统
基本信息
| 申请号 | CN202010692712.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111676466A | 公开（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申请公布号 | CN111676466A | 申请公布日 | 2020-09-18 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王宏兴;王艳丰 | 申请（专利权）人 | 广东达蒙得半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安维赛恩专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘艳霞 |
| 地址 | 523808广东省广州市松山湖园区新城路5号1栋1109室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于MPCVD系统的导气式样品托，包括：样品托本体，用于水平放置于反应腔内，样品托本体的上方中心处设置有用于导入气流的气体导入口；样品托本体的下部为圆柱体状，其上部包括同轴设置的挡流板和导流台，挡流板位于外侧且为圆环体。导流台为一上小下大的圆台体；导流台的上表面为水平状，用于放置金刚石样品；导流台的下端直径与挡流板内环直径相同，导流台的高度满足以下条件：金刚石样品放置在导流台上时，金刚石样品的上表面不超过挡流板的上表面。在挡流板底部环绕一周间隔、且均匀贯通开设有多个径向导流孔。该样品托为金刚石生长提供一个稳定的气流环境，减少金刚石边缘多晶等缺陷的形成。 |
