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压力传感器的封装结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN201511007990.2 申请日 -
公开（公告）号 CN105489569B 公开（公告）日 2020-01-07
申请公布号 CN105489569B 申请公布日 2020-01-07
分类号 H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L41/053 分类 基本电气元件;
发明人 尤文胜 申请（专利权）人 合肥矽迈微电子科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 230000 安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园一期A2楼208室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种压力传感器的封装结构及其制造方法。压力传感器的封装结构，包括，压力传感器，包括感测外部压力的压敏结构和将感测到的压力信息转换成电信号的向外引出的电极；压敏结构和电极位于压力传感器的第一表面；绝缘层，其第一表面与压力传感器的第二表面相接触；与电极相互连接的第一金属凸块；通过一金属连接结构与对应的所述第一金属凸块相互连接的第二金属凸块；塑封体，用以全部包封第一金属凸块和金属连接结构，以及部分包封压力传感器，绝缘层和第二金属凸块，以将压力传感器的压敏结构区域裸露，以及将第二金属凸块和绝缘层裸露。