一种原子层沉积设备
基本信息
| 申请号 | CN202123083824.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216891209U | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN216891209U | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴虹;陆勇;朱家宽;胡海明;张开江;庄志金 | 申请（专利权）人 | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201620上海市松江区思贤路3255号3幢402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种原子层沉积设备，包括：旋转基座，用于承载基片；第一气流板和第二气流板，所述第一气流板与所述第二气流板堆叠设置；所述第一气流板上包括凹槽部和设置于凹槽部内的供气口，所述凹槽部包括自所述第一气流板中心向边缘呈扇形放射状延伸的沟槽，使所述凹槽部的内表面与所述第二气流板的表面围成送气腔体；所述第二气流板上设置有与所述凹槽部位置相对的送气口，用于将反应气体通过所述送气口输送至所述旋转基座；供气管道，所述供气管道连接所述供气口，用于提供气体。通过均匀分布于沉积区域上方的送气腔体对沉积区域进行送气，有利于提升基片上各个位置的送气均匀性。 |
