管式沉积系统
基本信息
| 申请号 | CN201910798935.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110408914B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN110408914B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | C23C16/54;H01L31/18 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴虹;王祥;袁刚;胡兵;奚明 | 申请（专利权）人 | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201602 上海市松江区思贤路3255号3幢402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种管式沉积系统，包括载片单元、前置处理腔室、X个反应模块、预加热单元、加热单元和转运单元。所述前置处理腔室与X个所述反应模块之间，以及X个所述反应模块之间均沿垂直方向设置，每个所述反应模块内沿水平方向设置有至少一个管式反应腔体，显著提高了空间利用率，有利于实现产能最大化。所述预加热单元和所述转运单元使得所述载片单元能够在所述前置处理腔室内达到预热温度后，再通过所述转运单元转移至所述管式反应腔体内，避免了所述管式反应腔体中存在的沉积层对加热效果产生的不利影响，有利于工艺处理的稳定性和可重复性。 |
