应用于管式镀膜设备的处理方法

基本信息

申请号 CN202011592604.1 申请日 -
公开(公告)号 CN112813420A 公开(公告)日 2021-05-18
申请公布号 CN112813420A 申请公布日 2021-05-18
分类号 C23C16/50;C23C16/54;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 戴虹;黄志强;王祥;彭海;汤亮才;胡海明 申请(专利权)人 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 黄海霞
地址 201620 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种应用于管式镀膜设备的处理方法,包括:通过沉积控制装置对管式沉积腔体内基板的一个待镀表面进行沉积处理以得到单面镀膜基板,通过传输装置将装载有所述单面镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述单面镀膜基板,从而得到待清洗载具,以及通过设置于管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过设置于所述管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行所述气相清洗处理,无需拆装所述载具,从而进一步提高了生产效率。