应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011592646.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112813413A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112813413A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01L31/18 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴虹;黄志强;王祥;袁刚;汤亮才;彭海 | 申请（专利权）人 | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201620 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺，包括：通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动，通过沉积控制装置使基板的两个待镀表面均形成介质膜，以及通过设置于管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀，提高了生产效率；通过设置于所述管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行所述气相清洗处理，无需拆装所述载具，从而进一步提高了生产效率。 |
