应用于镀膜设备的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202011590653.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112813412A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112813412A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/50;C23C16/52 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴虹;黄志强;王祥;袁刚;汤亮才;刘锋 | 申请（专利权）人 | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201620 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种应用于镀膜设备的处理方法，包括：通过沉积控制装置对沉积腔体内装载有基板的载具进行沉积处理以使形成的镀膜基板的两个待镀表面均形成介质膜，以及通过传输装置将待清洗载具输送至管式清洗腔体后，通过清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。本发明通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率。 |
