电池背部结构及其制备方法、电池
基本信息
| 申请号 | CN202111617968.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114400261A | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN114400261A | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/02（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱家宽;戴虹;钟文兵;孙海晨;刘阳;桑雪岗;章晖 | 申请（专利权）人 | 理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201620上海市松江区思贤路3255号3幢402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种电池背部结构，包括基底、隧穿氧化层、掺杂多晶硅薄膜层、扩散多晶硅薄膜层、氮化硅层和电极；所述隧穿氧化层设置于所述基底的表面；所述掺杂多晶硅薄膜层设置于所述隧穿氧化层的表面；所述扩散多晶硅薄膜层设置于所述掺杂多晶硅薄膜层的表面，且所述扩散多晶硅薄膜层的方阻小于所述掺杂多晶硅薄膜层的方阻；所述氮化硅层设置于所述扩散多晶硅薄膜层的表面；所述电极贯穿所述氮化硅层和部分所述扩散多晶硅薄膜层，且所述电极与所述掺杂多晶硅薄膜层分隔设置。本发明同时提供一种电池背部结构的制备方法和一种电池。 |
