制备（I-III-VI族）AgInS
基本信息
| 申请号 | CN202110474352.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113403066A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113403066A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C09K11/62（2006.01）I;B82Y20/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 孙笑;程陆玲 | 申请（专利权）人 | 合肥福纳科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐章伟 |
| 地址 | 230012安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期G91栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了制备（I‑III‑VI族）AgInS2量子点的方法。该方法包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS2量子点原液；对所述AgInS2量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS2量子点。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS2量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。 |
