QD发光层、量子点发光器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110702697.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421986A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421986A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋斌;梁凯旋;姚琪 | 申请（专利权）人 | 合肥福纳科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 230012安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期G91栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种QD发光层、量子点发光器件及其制备方法，所述QD发光层包括：至少两层子QD发光层，紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级小于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的导带能级，且紧贴着空穴传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级大于紧贴着电子传输层的所述子QD发光层包含的量子点的价带能级。现有量子点发光二极管性能以及发光寿命普遍较差，本发明通过采用多种具有不同能级结构的量子点来适配对应的电子传输层以及空穴传输层，以此来平衡电子和空穴的注入平衡，从而提高量子点发光二极管的性能以及发光寿命。 |
