940nm红外LED的外延结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

940nm红外LED的外延结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010219872.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111276582A	公开（公告）日	2020-06-12
申请公布号	CN111276582A	申请公布日	2020-06-12
分类号	H01L33/12(2010.01)I	分类	-
发明人	米洪龙;杨杰;关永莉;吴小强;杨鑫;周王康;申江涛;陕志芳;樊明明	申请（专利权）人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	041600山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村
法律状态	-

摘要

本发明提供一种940nm红外LED的外延结构及其制备方法，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底(1)、衬底缓冲层(2)、下覆盖层(3)、下波导层(4)、第一有源层(5)、晶格缓冲层(6)、第二有源层(7)、上波导层(8)、电流限制层(9)、上覆盖层(10)、窗口层(11)和欧姆接触层(12)，所述第一覆盖层(3)包括第一覆盖层(3‑1)和第二覆盖层(3‑2)。本发明能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子‑空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。